2月12日消息，据韩国媒体报道，长鑫存储（CXMT）正在加速开发下一代DRAM技术，其并未按原计划为首款商用DDR5产品采用的17nm，而是直接采用了16nm制程技术。
下一代15nm制程技术也在现有制程基础上进行开发中，目标是在2025年内开发出该技术，并快在2026年下半年就能达成商业化的目标。
长鑫存储此前主要生产采用17-18nm制程的DDR4、LPDDR4X等成熟产品，2024年11月，该公司首次发布了LPDDR5产品，并在2025年稍早成功实现了DDR5的商业化目标。
长鑫存储对此次DDR5采用的制程技术一直充满信心，如今事实证明，其下一代制程开发速度比原计划更快。
研究机构TechInsights表示，长鑫存储在完成17nm制程技术开发后，紧接着完成了16nm制程技术的开发，因此首款商用DDR5产品采用了16nm制程技术。
此外，长鑫存储原计划发展15nm制程技术，但受美国加强先进半导体制造设备出口限制影响，无法引进EUV先进制造设备，导致计划暂时放缓。
不过随着技术开发的成熟，预计长鑫存储利用现有设备也足以开发和量产下一代制程，毕竟美光的13nm DRAM制程技术也没有采用使用EUV。
